4月已过，中芯国际7nm，新一代国产光刻机怎么样了

4月已过又怎么了？4年已过，中芯国际7纳米工艺（N+1或N+2）也与中国国产光刻机无关！
首先，2021年底，中国微电子将推出的光刻机工程样机只是可以生产28纳米制程芯片的光刻机，并且也仅仅是工程样机，到最后的量产还需要一段时间。而且，理论上，这种使用193纳米浸入式ArF光源的DUV光刻机一次曝光可以生产的最小极限尺寸就是28纳米。如果要生产7纳米芯片，就必须要通过极特殊的工艺，也就是“四重曝光”的方式才能得到7纳米芯片。此种方法的代价极高，高到三星和Intel都放弃掉了，苦等EUV光刻机来生产7纳米芯片。只有台积电不信邪，花费了巨大的血本来研究，终于掌握了这种成本极高的生产工艺。也就是说，到目前为止，可以用DUV光刻机量产7纳米芯片的，全球就只有台积电一家。这里只是想说，不是拥有了可以生产28纳米制程的国产光刻机就可以生产出7纳米芯片了。这只不过是拥有了炒菜的锅，是不是能做出对口味的菜来，还要看大厨的手艺！
其次就是中芯国际的7纳米制程，也就是常说的N+1/N+2工艺了。目前的情况是，2021年4月开始，N+1工艺进入到风险量产阶段，但距离正式量产的距离还不知道是多远。另外，中芯国际的28纳米/14纳米/N+1工艺，都需要ASML出品的NXT 1980i光刻机来生产和测试。但由于众所周知的原因，中芯国际手头上拥有的这个型号的光刻机数量极其有限，且基本上没有办法再增加了。所以，中芯国际在将来即便是N+1工艺稳定下来，进入到量产阶段，也只能是停用28纳米/14纳米工艺，才有空闲下来的光刻机来生产N+1工艺的芯片，也就是28纳米/14纳米/N+1工艺是互相抢光刻机来用的。可以这么说，中芯国际高端芯片的产量完全是被ASML NXT1980i DUV光刻机的数量决定了。
【4月已过，中芯国际7nm，新一代国产光刻机怎么样了】由于中国微电子的28纳米光刻机在2021年底只是推出工程样机，距离量产型光刻机还有一段相当长的路要走。对于中芯国际来说，也就变成无法指望的光刻机了。现在中芯国际能干的事情就是研究工艺，做好技术储备，将DUV光刻机的应用研究到极致，然后就是工艺等光刻机了，也就是一旦光刻机到位就立即能够投入量产。这就是中芯国际目前能做的唯一一件事了。但光刻机的特殊性，又使得研究出的工艺是不通用的，也就是说在ASML光刻机上研究出来的7纳米工艺，是无法照搬到国产光刻机上的。此时，如果用国产28纳米光刻机来生产7纳米芯片，就需要全部推倒重来地，从头再次研究如何用国产28纳米光刻机通过四重曝光生产7纳米芯片。